Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-247AC
Serija
D Series
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.31mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
20.82mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,83
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,63
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
1
€ 3,83
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 4,63
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 3,83 |
10 - 49 | € 3,73 |
50 - 99 | € 3,57 |
100 - 249 | € 3,46 |
250+ | € 3,26 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-247AC
Serija
D Series
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.31mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
20.82mm
Produkto aprašymas