Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.7mm
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1 420,25
€ 0,568 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 718,50
€ 0,687 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 1 420,25
€ 0,568 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 718,50
€ 0,687 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.7mm
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.8mm
Produkto aprašymas