Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,838
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,224
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 1,838
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,224
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,838 | € 91,88 |
100 - 200 | € 1,732 | € 86,62 |
250+ | € 1,68 | € 84,00 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas