Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
11 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,28
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 1,55
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
1
€ 1,28
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 1,55
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 1,28 |
10 - 49 | € 1,09 |
50 - 99 | € 1,04 |
100 - 249 | € 1,00 |
250+ | € 0,92 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
11 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
54 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Produkto aprašymas