Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,732
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 2,096
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
10
€ 1,732
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 2,096
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,732 | € 17,32 |
50 - 90 | € 1,732 | € 17,32 |
100 - 240 | € 1,47 | € 14,70 |
250 - 490 | € 1,418 | € 14,18 |
500+ | € 1,155 | € 11,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas