Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.83mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,665
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,805
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,665
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,805
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.83mm
Produkto aprašymas