Vishay N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF820PBF
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 9,04
€ 0,90 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 10,94
€ 1,09 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
10
€ 9,04
€ 0,90 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 10,94
€ 1,09 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
10
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
| kiekis | Vieneto kaina |
|---|---|
| 10 - 49 | € 0,90 |
| 50 - 99 | € 0,79 |
| 100 - 249 | € 0,75 |
| 250+ | € 0,69 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products