Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
77 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,15
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,812
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 3,15
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,812
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 3,15 | € 15,75 |
50 - 120 | € 2,678 | € 13,39 |
125 - 245 | € 2,52 | € 12,60 |
250 - 495 | € 2,362 | € 11,81 |
500+ | € 1,89 | € 9,45 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
77 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas