Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Plotis
1.4mm
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,08
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,097
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
€ 0,08
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,097
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Plotis
1.4mm
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas