Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
7
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
163 nC @ 10 V
Aukštis
11.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Taiwan, Province Of China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1 292,00
€ 1,615 Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 1 563,32
€ 1,954 Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 1 292,00
€ 1,615 Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 1 563,32
€ 1,954 Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
7
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
163 nC @ 10 V
Aukštis
11.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Taiwan, Province Of China