P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3

RS kodas: 178-3950Gamintojas: Vishay SiliconixGamintojo kodas: SQD40031EL_GE3
brand-logo
Žiūrėti viską MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serija

TrenchFET

Pakuotės tipas

DPAK (TO-252)

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Ilgis

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

186 nC @ 10 V

Plotis

2.38mm

Transistor Material

Si

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Aukštis

6.22mm

Kilmės šalis

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 12,82

€ 1,282 Each (In a Pack of 10) (be PVM)

€ 15,51

€ 1,551 Each (In a Pack of 10) (su PVM)

P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3
Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas

Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas - each

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10.

Gamyba -

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10.

Rekomenduojama užsakant dideliais kiekiais. Produktai supakuoti taip, kad juos būtų galima įdėti į mašinas, todėl galite padidinti gamybos efektyvumą.

10

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10
10€ 12,82
20€ 25,65
30€ 38,48
40€ 51,30
50€ 64,12
60€ 76,95
70€ 89,78
80€ 102,60
90€ 115,42
100€ 109,25
110€ 120,18
120€ 131,10
130€ 142,02
140€ 152,95
150€ 163,88
sticker-462

€ 12,82

€ 1,282 Each (In a Pack of 10) (be PVM)

€ 15,51

€ 1,551 Each (In a Pack of 10) (su PVM)

P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK Vishay Siliconix SQD40031EL_GE3
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas

Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas - each

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10.

Gamyba -

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10.

Rekomenduojama užsakant dideliais kiekiais. Produktai supakuoti taip, kad juos būtų galima įdėti į mašinas, todėl galite padidinti gamybos efektyvumą.

10

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10
10€ 12,82
20€ 25,65
30€ 38,48
40€ 51,30
50€ 64,12
60€ 76,95
70€ 89,78
80€ 102,60
90€ 115,42
100€ 109,25
110€ 120,18
120€ 131,10
130€ 142,02
140€ 152,95
150€ 163,88
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kainaPer Pakuotė
10 - 90€ 1,282€ 12,82
100 - 490€ 1,092€ 10,92
500 - 990€ 0,95€ 9,50
1000+€ 0,831€ 8,31

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serija

TrenchFET

Pakuotės tipas

DPAK (TO-252)

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

136 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Ilgis

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

186 nC @ 10 V

Plotis

2.38mm

Transistor Material

Si

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Aukštis

6.22mm

Kilmės šalis

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more