Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
SC-70-6L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
€ 572,85
€ 0,191 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 693,15
€ 0,231 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 572,85
€ 0,191 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 693,15
€ 0,231 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
SC-70-6L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China