Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerPAIR 3 x 3
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
16.7 W
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Plotis
3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,467
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,565
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,467
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,565
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PowerPAIR 3 x 3
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
16.7 W
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Plotis
3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.1 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C