Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,337
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,408
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,337
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,408
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China