Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SC-70
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,326
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,394
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,326
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,394
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SC-70
Serija
TrenchFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China