Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17.2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Transistor Material
Si
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
5mm
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.07mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,774
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,937
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,774
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,937
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17.2 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Transistor Material
Si
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
5mm
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
1.07mm
Kilmės šalis
China