Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.02mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,176
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,213
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,176
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,213
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Serija
TrenchFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.02mm
Kilmės šalis
China