Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
10 x 4.5 x 15mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
NPN Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,418
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,716
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,418
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,716
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,418 | € 7,09 |
25+ | € 1,208 | € 6,04 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum DC Current Gain
120
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
80 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
10 x 4.5 x 15mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas