Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
393 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
890 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Plotis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.95mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,937
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 1,134
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 0,937
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 1,134
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
393 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
890 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Plotis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.95mm