Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
122 nC @ 10 V
Aukštis
0.95mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,033
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 1,25
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 1,033
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 1,25
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
122 nC @ 10 V
Aukštis
0.95mm
Forward Diode Voltage
1.2V