Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Pakuotės tipas
TO-3PN
Serija
TK
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Ilgis
15.5mm
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.5mm
Aukštis
20mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 80,75
€ 3,23 Each (In a Tube of 25) (be PVM)
€ 97,71
€ 3,908 Each (In a Tube of 25) (su PVM)
25

€ 80,75
€ 3,23 Each (In a Tube of 25) (be PVM)
€ 97,71
€ 3,908 Each (In a Tube of 25) (su PVM)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Pakuotės tipas
TO-3PN
Serija
TK
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Ilgis
15.5mm
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.5mm
Aukštis
20mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas