Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.1mm
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,70
€ 1,14 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 6,90
€ 1,379 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 5,70
€ 1,14 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 6,90
€ 1,379 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,14 | € 5,70 |
50 - 120 | € 0,998 | € 4,99 |
125 - 245 | € 0,95 | € 4,75 |
250 - 495 | € 0,886 | € 4,43 |
500+ | € 0,819 | € 4,09 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
67 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.1mm
Produkto aprašymas