Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
5.02mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.95mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,51
€ 5,51 už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,67
€ 6,67 už 1 vnt. (su PVM)
1

€ 5,51
€ 5,51 už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,67
€ 6,67 už 1 vnt. (su PVM)
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 5,51 |
10 - 49 | € 4,56 |
50 - 99 | € 4,13 |
100 - 199 | € 4,04 |
200+ | € 3,94 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
5.02mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.95mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas