Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
15.1mm
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 6,18
€ 1,235 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,48
€ 1,494 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 6,18
€ 1,235 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,48
€ 1,494 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
15.1mm
Produkto aprašymas