Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Plotis
4.45mm
Transistor Material
Si
Aukštis
15.1mm
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,993
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,202
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,993
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,202
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,993 | € 4,97 |
50 - 120 | € 0,903 | € 4,52 |
125 - 245 | € 0,857 | € 4,28 |
250 - 495 | € 0,78 | € 3,90 |
500+ | € 0,715 | € 3,58 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Plotis
4.45mm
Transistor Material
Si
Aukštis
15.1mm
Produkto aprašymas