Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
263 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
U-MOSVIII-H
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Aukštis
15.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,362
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,858
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 2,362
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,858
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,362 | € 11,81 |
25 - 45 | € 2,152 | € 10,76 |
50 - 120 | € 1,942 | € 9,71 |
125+ | € 1,838 | € 9,19 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
263 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
U-MOSVIII-H
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Aukštis
15.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas