Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaMemory Size
2 GByte
Interface Type
Parallel
Pakuotės tipas
TSOP
Kaiščių skaičius
48
Organisation
256M x 8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Cell Type
NAND
Minimum Operating Supply Voltage
-0.6 V
Maximum Operating Supply Voltage
4.6 V
Block Organisation
Symmetrical
Matmenys
18.4 x 12.4 x 1mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maximum Random Access Time
25ns
Number of Words
256M
Number of Bits per Word
8bit
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Produkto aprašymas
Flash Memory, Toshiba
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 9,69
už 1 vnt. (be PVM)
€ 11,72
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
€ 9,69
už 1 vnt. (be PVM)
€ 11,72
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaMemory Size
2 GByte
Interface Type
Parallel
Pakuotės tipas
TSOP
Kaiščių skaičius
48
Organisation
256M x 8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Cell Type
NAND
Minimum Operating Supply Voltage
-0.6 V
Maximum Operating Supply Voltage
4.6 V
Block Organisation
Symmetrical
Matmenys
18.4 x 12.4 x 1mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maximum Random Access Time
25ns
Number of Words
256M
Number of Bits per Word
8bit
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Produkto aprašymas
Flash Memory, Toshiba
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.