Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.9mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Kilmės šalis
Thailand
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,047
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,057
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,047
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,057
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,047 | € 141,75 |
6000 - 6000 | € 0,046 | € 138,60 |
9000+ | € 0,043 | € 129,15 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.9mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Kilmės šalis
Thailand