Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1.52 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Plotis
1.25mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.23 nC @ 4 V
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Thailand
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,055
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,066
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,055
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,066
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1.52 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Plotis
1.25mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.23 nC @ 4 V
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Thailand