Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-723
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Plotis
1.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
0.8mm
Aukštis
0.5mm
Kilmės šalis
Thailand
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,048
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,058
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
€ 0,048
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,058
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
8000 - 8000 | € 0,048 | € 386,40 |
16000+ | € 0,045 | € 361,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-723
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Plotis
1.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
0.8mm
Aukštis
0.5mm
Kilmės šalis
Thailand