Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
42 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.8mm
Kilmės šalis
Thailand
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,122
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,148
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,122
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,148
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,122 | € 365,40 |
6000 - 6000 | € 0,117 | € 349,65 |
9000+ | € 0,109 | € 327,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
42 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.8mm
Kilmės šalis
Thailand