Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.25mm
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Thailand
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,182
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,22
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,182
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,22
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,182 | € 544,95 |
6000 - 6000 | € 0,173 | € 519,75 |
9000+ | € 0,165 | € 494,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.25mm
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Thailand