Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-723
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
32 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
0.8mm
Aukštis
0.5mm
Kilmės šalis
Japan
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,06
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,073
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
€ 0,06
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,073
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-723
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
32 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
0.8mm
Aukštis
0.5mm
Kilmės šalis
Japan