Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
2SK
Pakuotės tipas
PW Mold2
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
2.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.5mm
Aukštis
5.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 6,00
€ 0,30 Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 7,26
€ 0,363 Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20

€ 6,00
€ 0,30 Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 7,26
€ 0,363 Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
20 - 40 | € 0,30 | € 6,00 |
60 - 100 | € 0,263 | € 5,26 |
120 - 220 | € 0,225 | € 4,50 |
240 - 460 | € 0,22 | € 4,41 |
480+ | € 0,214 | € 4,28 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
2SK
Pakuotės tipas
PW Mold2
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
2.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.5mm
Aukštis
5.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas