Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
PW Mold
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.5mm
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.3mm
Produkto aprašymas
MOSFET P-Channel, 2SJ Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,761
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,921
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,761
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,921
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,761 | € 7,61 |
50 - 190 | € 0,593 | € 5,93 |
200 - 490 | € 0,518 | € 5,18 |
500 - 990 | € 0,488 | € 4,88 |
1000+ | € 0,476 | € 4,76 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
PW Mold
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.5mm
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.3mm
Produkto aprašymas