Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-15 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-230 V
Pakuotės tipas
TO-3PL
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
55
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-230 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
20.5 x 5.2 x 26mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
PNP Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,625
Each (In a Tube of 100) (be PVM)
€ 3,176
Each (In a Tube of 100) (su PVM)
100
€ 2,625
Each (In a Tube of 100) (be PVM)
€ 3,176
Each (In a Tube of 100) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-15 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-230 V
Pakuotės tipas
TO-3PL
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
55
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-230 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
20.5 x 5.2 x 26mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas