Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
791 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +2 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
4.9mm
Plotis
3.91mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Aukštis
1.58mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,992
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,62
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 2,992
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,62
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 120 | € 2,992 | € 14,96 |
125 - 495 | € 2,415 | € 12,08 |
500 - 1245 | € 2,152 | € 10,76 |
1250 - 2495 | € 1,68 | € 8,40 |
2500+ | € 1,522 | € 7,61 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
791 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +2 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
4.9mm
Plotis
3.91mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Aukštis
1.58mm