Dual P-Channel MOSFET, 120 A, 30 V, 8-Pin LSON-CLIP Texas Instruments CSD87355Q5DT
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
LSON-CLIP
Serija
NexFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.75V
Maximum Power Dissipation
12 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC, 40 nC
Plotis
5.1mm
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,312
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,588
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,312
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,588
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
LSON-CLIP
Serija
NexFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.75V
Maximum Power Dissipation
12 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC, 40 nC
Plotis
5.1mm
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas