Dual P-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin VSON Texas Instruments CSD87334Q3DT
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.75V
Maximum Power Dissipation
6 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,748
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,905
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,748
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,905
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.75V
Maximum Power Dissipation
6 W
Transistor Configuration
Dual Base
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas