Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Plotis
2.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
1.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.2mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,895
Each (On a Reel of 250) (be PVM)
€ 1,083
Each (On a Reel of 250) (su PVM)
250
€ 0,895
Each (On a Reel of 250) (be PVM)
€ 1,083
Each (On a Reel of 250) (su PVM)
250
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
250 - 250 | € 0,895 | € 223,65 |
500 - 1000 | € 0,85 | € 212,62 |
1250+ | € 0,764 | € 191,10 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Plotis
2.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
1.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.2mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas