P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD25404Q3T
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
VSON-CLIP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.1mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,26
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,525
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,26
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,525
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 10 | € 1,26 | € 6,30 |
15 - 45 | € 0,994 | € 4,97 |
50 - 245 | € 0,87 | € 4,35 |
250 - 495 | € 0,761 | € 3,81 |
500+ | € 0,675 | € 3,38 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
VSON-CLIP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.1mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas