Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.51e+007 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,30
€ 0,43 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 5,20
€ 0,52 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 4,30
€ 0,43 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 5,20
€ 0,52 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1.51e+007 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si