Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
NexFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,312
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,588
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 1,312
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,588
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,312 | € 65,62 |
100 - 200 | € 1,155 | € 57,75 |
250 - 450 | € 1,102 | € 55,12 |
500 - 700 | € 1,034 | € 51,71 |
750+ | € 0,969 | € 48,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
NexFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.1V
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas