Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6.4e+006 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,99
€ 0,799 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,83
€ 0,967 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 3,99
€ 0,799 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,83
€ 0,967 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6.4e+006 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si