Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
273 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,78
už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,99
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 5,78
už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,99
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 5,78 |
5 - 9 | € 5,46 |
10 - 24 | € 4,94 |
25 - 49 | € 4,41 |
50+ | € 4,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
273 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas