Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
10.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.1mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,208
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,462
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 1,208
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,462
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,208 | € 6,04 |
25 - 95 | € 1,048 | € 5,24 |
100 - 245 | € 0,915 | € 4,57 |
250 - 495 | € 0,854 | € 4,27 |
500+ | € 0,807 | € 4,04 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
10.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.1mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas