Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
54 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
79 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,102
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,334
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 1,102
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 1,334
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
54 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
79 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas