Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Plotis
5mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,155
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,398
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 1,155
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,398
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,155 | € 5,78 |
50 - 95 | € 0,919 | € 4,59 |
100+ | € 0,702 | € 3,51 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Plotis
5mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas