Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
118 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
192 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.51mm
Serija
NexFET
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,838
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 2,224
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
5
€ 1,838
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 2,224
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,838 | € 9,19 |
50 - 95 | € 1,47 | € 7,35 |
100 - 245 | € 1,312 | € 6,56 |
250 - 495 | € 1,208 | € 6,04 |
500+ | € 1,034 | € 5,17 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
118 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
192 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.51mm
Serija
NexFET
Produkto aprašymas