Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
FemtoFET
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
0.64mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
1.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1570 nC @ 0 V
Aukštis
0.2mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Produkto aprašymas
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,166
Each (On a Reel of 250) (be PVM)
€ 0,201
Each (On a Reel of 250) (su PVM)
250
€ 0,166
Each (On a Reel of 250) (be PVM)
€ 0,201
Each (On a Reel of 250) (su PVM)
250
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
FemtoFET
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
0.64mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
1.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1570 nC @ 0 V
Aukštis
0.2mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Produkto aprašymas